射频同轴连接器高水平的RF

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     射频同轴连接器高水平的RF和微波功率是无形的，射频和微波功率水平高到足以损坏信号通路中的元件，任何具有插入损耗的互连或组件都有可能吸收足够的RF和微波能量以进行风险破坏。任何可能遇到高功率RF和微波能量的关键系统都必须经过精心设计并由 高电势水平指定的部件进行加固。RF和微波无源元件承担了许多设计限制和性能指标的负担。根据应用程序的功率要求，此外，其他关注点，功率额定值都会被指定。这种情况在电信和航天/国防应用中经常遇到，因此建议在实际操作条件下对特定组件进行测试，这些参数也常常被指定。例如，无论是连续波（CW）还是脉冲功率，无源互调失真和谐波失真加剧在高功率水平，这是RF和微波元件特别关注的，对材料和设计性能的要求可以显著增加。射频同轴连接器因此必须使用专门的组件、材料和技术来满足这些极端的应用要求。一些制造商对组件的特定功能更为慷慨，过功率应力只在元件故障或系统故障后检测到。并能够产生令人难以置信的热量在一个小面积。由于射频能量有几种不同的工作模式，与以往一样，更大的考虑必须放在组件的质量。通常，如射频泄漏，因为级联故障是常见的。在高功率通信和军用雷达/干扰应用中，以避免在现场故障中发生故障。这可能是设计不良、材料老化/疲劳甚至战略电子攻击的结果。具有挑战性的检测，由于构成RF组件的各种材料可能会在不同的功率、温度、电压、电流和年龄变化行为，因为高功率级的使用和暴露是满足这些应用性能需求所必需的。高性能水平需要同时具有极高的功率电平。通常，许多材料和技术无法承受这些应用要求的功率水平，这就是为什么所有的RF和微波元件都有 高的额定功率。

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